AI风起再追台积电 三星2025年量产2纳米

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本报记者 谭伦 北京报导

AI风起再追台积电 三星2025年量产2纳米的视图

AI火爆催生的高算力需求给全球半导体晋级带来了新的动力,先进制程的时刻表再度变得火急。在3纳米产值现已进入稳定时的布景下,2纳米成为新的商场抢夺点。

日前,在圣何塞举办的三星晶圆代工论坛上,三星高调宣告更新半导体工艺道路图,方针要点环绕2纳米打开。依据方案,三星将在2025年推出2纳米级的SF2节点(此前名称为SF3P),2026年推出SF2节点的功能增强版别SF2P,2027年完成第四代SF2Z芯片的大规模量产。

而抢在2025年具有2纳米制程节点,也意味着三星将其发展赶上了台积电。据台积电CEO魏哲家日前于财报会上泄漏,台积电的2纳米研制发展顺畅,现在正活跃推动在2025年完成大规模量产的方针,估计2024年下半年危险试产,2025年第二季度小规模量产。

“三星的表态,更多也来自现在代工商场双巨子格式带来的竞赛压力。”CHIP全球测试中心我国试验室主任罗国昭向《我国经营报》记者表明,现在全球代工商场的近多半比例被二者占有。来自半导体市研组织TrendForce的数据显现,2024年第一季度,台积电以61.7%居首,同比增幅0.5%;而三星则以11%位居次席,同比下滑0.3%。

值得注意的是,除2纳米外,三星还在本次论坛上泄漏了其SF1.4(1.4纳米)的研制发展,称现在发展顺畅,有望在2027年达到功能和良率方针并完成量产。

AI热潮倒逼

尽管在三星的原有道路图中,2纳米的时刻相同落子2025年,但此次三星的表态备受重视,在于其关于2纳米的商用规划规模做出了新的调整。

据三星电子总裁兼晶圆代工事务负责人崔时荣2023年9月泄漏,三星将自2025年首先先于移动终端量产2纳米制程芯片,随后在2026年用于高功能核算(HPC)产品,并于2027年扩展至车用芯片。但在此次关于SF2节点技能的表述中,三星则强调了将一起应用于高功能核算和智能手机。

“AI在算力和终端侧的遍及比料想要快,这使得台积电和三星在2纳米范畴加快发力。”在罗国昭看来,2纳米与3纳米比较,大大提高AI核算的速率并下降功耗。以5纳米过渡到3纳米为例,均匀单颗CPU功能提高10%,而GPU的提高则高达20%。

罗国昭以为,这使得意在推出AI手机的厂商和算力芯片的厂商都加大了关于2纳米的需求,包含苹果、英伟达和AMD。据揭露报导,第一批台积电的量产2纳米芯片将于明年在 iPhone 17系列上初次露脸,M系列芯片也将选用相同的制程。

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崔时荣在本次代工论坛期间泄漏,在曩昔一年中,三星代工的AI销售额增加了80%。而满意AI需求的要害,在于供给高功能、低功耗的半导体,用于高速、低功耗的数据处理。

与台积电相同的是,三星的2纳米制程选用了GAA工艺。这一新工艺选用新的纳米片晶体管结构,以替代现在干流的鳍式场效应晶体管(FinFET)结构。比较于后者,GAA结构可以更为精确地削减漏电损耗,下降功耗。

崔时荣指出,三星GAA自2022年起已进入量产的第三年,其间稳步增加,并有望在未来几年大幅增加。

英特尔跟进

除了三星与台积电外,半导体的另一大传统巨子英特尔也加入了2纳米制程的战局。

今年年初,英特尔首席执行官帕特・基辛格发布了包含2纳米芯片在内“4年5个工艺节点推动方案”,并宣告在2030年前成为全球第二的晶圆制作厂。依据方案,英特尔将在2024年开端量产Intel 20A(即2纳米)芯片,这款芯片将选用全新的RibbonFET晶体管,以替代现有的FinFET架构。

记者从英特尔方面得悉,与GAA比较,RibbonFET加入了反面功率传输技能,这使得英特尔方案能完成6%的功能提高(Fmax)、90%的单元利用率以及30%以上的电压下降。

若该方针完成,英特尔将成为比台积电、三星都更早完成2纳米工艺芯片的制作商。在日前举办的英特尔至强6能效核发布会上,英特尔商场营销集团副总裁兼我国区总经理王稚聪再度清晰表明,“4年5个工艺节点方案”正在顺畅推动。这意味着,Intel 20A 现在已在有序制作进程中。

英特尔的自傲,来自光刻机供应链。在2023年12月表明将向英特尔供给最新一代“0.55数值孔径”High NA EUV光刻机后,ASML于今年年初向英特尔俄勒冈晶圆厂完成了发货。英特方面表明,该光刻机将用于英特尔2纳米及更先进制程芯片的制作。

关于英特尔切入2纳米制程的远景,半导体分析师季维以为,因为近年来未在先进制程上有过较多闪光点和比例堆集,现在商场对其更多持张望情绪。假如应用后能收成杰出口碑,英特尔将会成为台积电、三星的有力应战者。

优雅的AI风起再追台积电 三星2025年量产2纳米的插图

罗国昭则表明,英特尔现在没有太多包袱,假如1.8纳米与2纳米都发展顺畅,这意味着曩昔几年失掉的制程优势有望夺回乃至抢先,关于两强格式而言无疑将是一个巨大的变数。

三强抑或独大

三星的高谐和英特尔的入局,在加快全球2纳米遍及的一起,也让先进制程芯片的竞赛格式变得奇妙。

季维以为,三强树立的格式尽管有望构成,但现在三星的局势必定最为困难。前有台积电,后有英特尔,并且台积电还在扩展优势,英特尔则或许弯道追上。

记者留意到,现在除苹果外,简直独占安卓阵营的高通与联发科两大手机芯片供货商的3纳米芯片都挑选了台积电,包含2024年发布的骁龙8Gen4与天玑9400。此外,GPU界简直一家独大的英伟达,根据Blackwell架构的RTX 50系列也相同挑选了台积电3纳米工艺。

罗国昭表明,现在台积电3纳米的订单现已排到了2026年,短期内三星或许会遭受进一步的冲击。而因为制程技能上的优势和提早收购需求预留的时刻差,现在台积电3纳米的客户不太或许搬运订单,并会延续到2纳米,这或让台积电的比例进一步扩展。

但罗国昭也指出,对台积电需求的火爆也意味着,其产能是否可以满意商场,需求承受查验,“假如求过于供,那对三星和英特尔来说则都是时机”。

值得注意的是,为了赶超台积电,三星在3纳米范畴相同早于台积电几个月推出,但因为工艺不行老练,良率一直存在问题,终究让台积电在3纳米范畴一骑绝尘。这样的经验,三星是否会汲取并处理,将是能否应战台积电2纳米并与其竞赛的要害。

据台积电事务开发资深副总暨副一起营运长张晓强在5月末泄漏的信息,2纳米制程发展十分顺畅,现在纳米片转化体现已达到方针90%,换成良率即超越80%。

“现在最大的时机是AI,商场求过于供的现状,对高功能低功耗的需求,将会给三星和台积电留出时机,也是2纳米竞赛最大的亮点。”罗国昭表明。

(修改:张靖超 审阅:李正豪 校正:刘军)

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