来历:芯智讯
近年来,跟着半导体顶级制程工艺越来越迫临物理极限,荷兰光刻机大厂ASML出产的EUV光刻机现已成为了继续推进晶体管微缩的要害设备,而当制程工艺进入2nm以下的埃米年代,或许就需求用到价格高达3.5亿欧元的High NA EUV(0.55NA)光刻机。在2023年末,ASML现已开端向英特尔交付了首套High NA EUV光刻机,英特尔也于上个月完成了拼装。尽管,High NA EUV光刻机刚开端出货,可是ASML现已在赶紧研制新一代的Hyper-NA EUV光刻机,为其寻觅适宜的解决方案。依据EETimes报道,ASML近期发布了还处于开发前期阶段的Hyper NA EUV光刻机的技能蓝图,估计最快将会在2030年推出。
Hyper NA EUV光刻机2030年推出
ASML前总裁兼首席技能官、现任公司参谋Martin van den Brink在2024年5月举办的imec ITF World的讲演中宣告,ASML现已可用其试验性质的High NA EUV(EXE:5200)光刻机打印出产8nm线宽,这是的新纪录,这打破了该公司在4月初其时创下的记载(10nm线宽),并且还具有必定程度的堆叠掩盖。Martin van den Brink着重,ASML当时现已取得了超卓的开展,因而,对High NA EUV光刻机的开展充满决心,估计未来将可以继续打破其极限。
一起,Martin van den Brink还泄漏,ASML计划在2030年左右正式推出Hyper NA EUV光刻机,其数值孔径(NA)将到达0.75,以便完成更高分辨率的图画化及更小的晶体管特征。相较之下,High NA EUV光刻机的数值孔径为0.55,规范EUV光刻机则是0.33。关于ASML而言,“十年后,咱们将具有一个Low NA、High NA 和 Hyper NA 的共用的单一EUV渠道”,借此可以进一步改进本钱和交货时刻。
从最新曝光的ASML光刻机道路图来看,0.75NA的Hyper NA EUV光刻机的类型的前缀为“HXE”,估计首款产品将会在2030年前后推出。
imec图画化项目总监Kurt Ronse也感叹道,这是 ASML 初次将 Hyper NA EUV光刻机添加到其产品道路图傍边。
从设备出产功率的道路图来看,ASML刚刚出货的High NA EUV光刻机(EXE:5000),现在的出产速度仅每小时150片晶圆,估计到2026年左右,将会提升到每小时约200片晶圆,到时也会推出第二代的High NA EUV光刻机(EXE:5200B),2028年前后会推出第三代的High NA EUV光刻机(EXE:5400),2030年前后将会推出更高速的第四代High NA EUV光刻机(EXE:5600),将选用高透射率、低PFR的柔性发光器。后续到2035年前后,新的High NA EUV光刻机产能将会提高到每小时300片晶圆,到达现在出货的High NA EUV光刻机(EXE:5000)产能的2倍。可是该道路图并未泄漏Hyper NA EUV光刻机的出产功率数据,不过考虑到Hyper NA EUV光刻的机的杂乱度及面对的更多的应战,估计初期的产能将会低于每小时200片晶圆。
从支撑的工艺节点来看,依据Martin van den Brink 此前发表的未来15年的逻辑器材的工艺道路图来看,运用现在的0.3NA的规范型EUV光刻机支撑到2025年2nm的量产,再往下就需求经过多重曝光技能来完成,但支撑到2027年量产的1.4nm将会是极限。而0.55NA的High NA EUV光刻机则可以支撑到2029年1nm制程的量产,假如选用多重曝光,则可以支撑到2033年量产的5埃米(0.5nm)制程节点,再往下就或许必需求选用0.75NA的Hyper NA EUV光刻机,或许可以支撑到2埃米(0.2nm)以下的制程节点,这儿道路图上打了一个问号,所以不确定Hyper NA EUV光刻机能否支撑下去。
这儿需求着重的是,尽管一个硅原子的直径大约就在1埃米左右,可是这儿的一切的制程节点命名都仅仅等效目标,并不是实在的物理目标。2埃米制程节点的对应的晶体管的金属距离为大约在16-12nm,进入到2埃米以下制程以下,金属距离才会进一步缩小到14-10nm。
当然,这儿光有先进的先进的光刻机是不行的,还需求先进的掩模和光刻胶,以及更杂乱的晶体管架构来进行支撑,这需求许多的研制资金投入。
现在,其他运用 EUV 光刻机的抢先芯片制作商,如三星、美光和 SK 海力士,也在考虑High NA EUV光刻机。台积电或许也会提早运用这项技能。ASML上星期暗示,或许将在2024年末前向台积电出货High NA EUV光刻机。
Ronse 表明:“High NA 应该会继续贯穿从 2nm 到 1.4nm、10埃米乃至7埃米的工艺节点。”他弥补说,尔后,Hyper NA 将开端占有主导地位。
Hyper NA EUV面对的应战
“imec 在两年前就现已开端运用计算机模仿研讨 Hyper NA。现在有许多研讨正在进行,咱们能把NA提高到 0.55 以上,未来能到达 0.75、0.85 吗?Hyper NA肯定会带来一些新应战。”作为与 ASML 合作开发光刻技能已有 30 多年的老将,Kurt Ronse剖析道:“其间一个应战是,光的偏振从 0.55 NA 左右开端。假如高于 0.55 NA,你很快就会发现偏振正在损坏对比度,由于偏振方向之一基本上抵消了光线,你需求偏振器来防止这种状况。”可是,偏振器的缺陷是阻挠光线、下降能效并添加出产本钱。
“Hyper NA 的另一个应战是光刻胶。在 0.55 NA 时,咱们就现已将光刻胶变薄了。而Hyper NA 的状况则更糟。这将给蚀刻选择性带来更多应战。”Kurt Ronse说道。
尽管ASML现已向英特尔交付了首台High NA EUV光刻机,但英特尔现在仅仅将High NA EUV光刻机用于其Intel 18A工艺的测验,以堆集相关经历,后续要比及2026年才会被用于Intel 14A的量产。别的台积电高管此前也曾揭露表明,High NA EUV光刻机过分贵重,台积电依托现有的惯例EUV光刻机才能可支撑到2026年的A16制程量产。
Ronse 表明:“台积电现在还不需求High NA EUV光刻机,它可以将其在两层图画化方面的专业知识与现有的 EUV 东西结合起来。两层曝光中真实要害的是边际方位差错,两个掩模有必要彻底对齐。并且两层图画化,意味着有必要把一切工作都做两遍,这很简单导致本钱添加。”Ronse 弥补道:“英特尔期望防止这种状况,他们或许没有像台积电那样把握EUV两层曝光。因而,他们更喜爱运用High NA EUV 来完成更高的分辨率。”
Martin van den Brink 在 Imec ITF World论坛上表明:“Hyper NA 这种分辨率更高的东西关于削减工艺过程至关重要,然后下降处理晶圆所需的本钱和动力。“Hyper NA 让咱们远离两层图画化的风险杂乱性,”Martin van den Brink 说道。
Hyper NA之后,未来在哪?
Martin van den Brink在2022年承受媒体采访时就曾表明,Hyper NA或许将是最终一个NA,并且不必定能真实投入出产,这意味经过数十年的光刻技能创新,咱们或许会走到当时半导体光刻技能之路的止境。即便Hyper NA可以完成,可是假如选用Hyper NA技能的制作本钱增长速度和现在High NA EUV技能相同(单台设备价格高达3.5亿欧元),那么经济层面几乎是不可行的。
不过,Martin van den Brink于2023年再次谈到Hyper NA EUV技能之际,好像添加了许多的决心,以为Hyper NA EUV将是一个时机,将成为2030年之后的新愿景。在最新的讲演傍边,Martin van den Brink以为,未来Hyper NA EUV比较High NA EUV上选用两层曝光的本钱将会更低。
从其他技能道路来看,尽管佳能推出了纳米压印技能,期望可以在某种程度上代替EUV光刻机,可是其出产率通常远低于High NA EUV光刻机。还有一种主意是,多束电子束光刻技能,它经过将图画直接写入硅晶圆来消除运用贵重的光掩模。仅有一家开发电子束光刻东西的公司——总部坐落荷兰的 Mapper 公司现已关闭。
明显,一旦未来Hyper NA也无路可走,那么就几乎没有其他代替品了。“你无法幻想会存在只要0.2nm的器材,”Ronse 说道。“它只要两个原子。在某个时分,现有的光刻技能道路必然会完结。”
“或许新资料或许会替代硅。有些新资料具有更高的电子迁移率,”Ronse 说道。“但这些资料很难放到硅晶圆上。研讨小组正在研讨这个问题。只要在电子有必要经过的几个层面上,你才需求堆积一层十分薄的新资料层。咱们需求的是可以在整个晶圆上均匀堆积该资料曾的专用设备。现在,它还在试验室里。咱们只在小范围内进行研讨。将会有新的堆积设备。此外,蚀刻这些资料或许愈加困难,因而咱们需求新的蚀刻技能。”
修改:芯智讯-浪客剑
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